隨著IC 器件集成度的提高、設(shè)備的逐步小型化和器件的速度愈來愈高，電子產(chǎn)品中的EMI問題也更加嚴(yán)重。從系統(tǒng)設(shè)備EMC /EMI設(shè)計的觀點來看，在設(shè)備的PCB設(shè)計階段處理好EMC/EMI問題，是使系統(tǒng)設(shè)備達(dá)到電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)最有效、成本最低的手段。本文介紹數(shù)字電路PCB設(shè)計中的EMI控制技術(shù)。

　　1 EMI的產(chǎn)生及抑制原理

　　EMI的產(chǎn)生是由于電磁干擾源通過耦合路徑將能量傳遞給敏感系統(tǒng)造成的。它包括經(jīng)由導(dǎo)線或公共地線的傳導(dǎo)、通過空間輻射或通過近場耦合三種基本形式。EMI的危害表現(xiàn)為降低傳輸信號質(zhì)量，對電路或設(shè)備造成干擾甚至破壞，使設(shè)備不能滿足電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的技術(shù)指標(biāo)要求。

　　為抑制EMI，數(shù)字電路的EMI設(shè)計應(yīng)按下列原則進(jìn)行：

　　●根據(jù)相關(guān)EMC/EMI技術(shù)規(guī)范，將指標(biāo)分解到單板電路，分級控制。

　　●從EMI的三要素即干擾源、能量耦合途徑和敏感系統(tǒng)這三個方面來控制，使電路有平坦的頻響，保證電路正常、穩(wěn)定工作。

　　●從設(shè)備前端設(shè)計入手，關(guān)注EMC/EMI設(shè)計，降低設(shè)計成本。

　　2 數(shù)字電路PCB的 EMI控制技術(shù)

　　在處理各種形式的EMI時，必須具體問題具體分析。在數(shù)字電路的PCB設(shè)計中，可以從下列幾個方面進(jìn)行EMI控制。

　　2.1 器件選型

　　在進(jìn)行EMI設(shè)計時，首先要考慮選用器件的速率。任何電路，如果把上升時間為5ns的器件換成上升時間為2.5ns的器件，EMI會提高約4倍。EMI的輻射強(qiáng)度與頻率的平方成正比，最高EMI頻率(fknee)也稱為EMI發(fā)射帶寬，它是信號上升時間而不是信號頻率的函數(shù)：fknee =0.35/Tr (其中Tr為器件的信號上升時間)

　　這種輻射型EMI的頻率范圍為30MHz到幾個GHz，在這個頻段上，波長很短，電路板上即使非常短的布線也可能成為發(fā)射天線。當(dāng)EMI較高時，電路容易喪失正常的功能。因此，在器件選型上，在保證電路性能要求的前提下，應(yīng)盡量使用低速芯片，采用合適的驅(qū)動/接收電路。另外，由于器件的引線管腳都具有寄生電感和寄生電容，因此在高速設(shè)計中，器件封裝形式對信號的影響也是不可忽視的，因為它也是產(chǎn)生EMI輻射的重要因素。一般地，貼片器件的寄生參數(shù)小于插裝器件，BGA 封裝的寄生參數(shù)小于QFP 封裝。