EMI 的產(chǎn)生是由于電磁干擾源通過耦合路徑將能量傳遞給敏感系統(tǒng)造成的。它包括經(jīng)由導(dǎo)線或公共地線的傳導(dǎo)、通過空間輻射或通過近場耦合三種基本形式。EMI 的危害表現(xiàn)為降低傳輸信號質(zhì)量，對電路或設(shè)備造成干擾甚至破壞，使設(shè)備不能滿足電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的技術(shù)指標(biāo)要求。

　　為抑制EMI，數(shù)字電路的EMI 設(shè)計應(yīng)按下列原則進行：

　　* 根據(jù)相關(guān)EMC/EMI 技術(shù)規(guī)范，將指標(biāo)分解到單板電路，分級控制。

　　* 從EMI 的三要素即干擾源、能量耦合途徑和敏感系統(tǒng)這三個方面來控制，使電路有平坦的頻響，保證電路正常、穩(wěn)定工作。

　　* 從設(shè)備前端設(shè)計入手，關(guān)注EMC/EMI 設(shè)計，降低設(shè)計成本。

　　2 數(shù)字電路PCB 的EMI 控制技術(shù)

　　在處理各種形式的EMI 時，必須具體問題具體分析。在數(shù)字電路的PCB 設(shè)計中，可以從下列幾個方面進行EMI 控制。

　　2.1 器件選型

　　在進行EMI 設(shè)計時，首先要考慮選用器件的速率。任何電路，如果把上升時間為5ns 的器件換成上升時間為2.5ns 的器件，EMI 會提高約4倍。EMI 的輻射強度與頻率的平方成正比，最高EMI 頻率(fknee)也稱為EMI 發(fā)射帶寬，它是信號上升時間而不是信號頻率的函數(shù)：

　　fknee =0.35/Tr (其中Tr 為器件的信號上升時間)

　　這種輻射型EMI 的頻率范圍為30MHz 到幾個GHz，在這個頻段上，波長很短，電路板上即使非常短的布線也可能成為發(fā)射天線。當(dāng)EMI 較高時，電路容易喪失正常的功能。因此，在器件選型上，在保證電路性能要求的前提下，應(yīng)盡量使用低速芯片，采用合適的驅(qū)動/接收電路。另外，由于器件的引線管腳都具有寄生電感和寄生電容，因此在高速設(shè)計中，器件封裝形式對信號的影響也是不可忽視的，因為它也是產(chǎn)生EMI 輻射的重要因素。一般地，貼片器件的寄生參數(shù)小于插裝器件，BGA 封裝的寄生參數(shù)小于QFP 封裝。

　　2.2 連接器的選擇與信號端子定義

　　連接器是高速信號傳輸?shù)年P(guān)鍵環(huán)節(jié)，也是易產(chǎn)生EMI 的薄弱環(huán)節(jié)。在連接器的端子設(shè)計上可多安排地針，減小信號與地的間距，減小連接器中產(chǎn)生輻射的有效信號環(huán)路面積，提供低阻抗回流通路。必要時，要考慮將一些關(guān)鍵信號用地針隔離。

　　2.3 疊層設(shè)計

　　在成本許可的前提下，增加地線層數(shù)量，將信號層緊鄰地平面層可以減少EMI 輻射。對于高速PCB，電源層和地線層緊鄰耦合，可降低電源阻抗，從而降低EMI。

　　2.4 布局

　　根據(jù)信號電流流向，進行合理的布局，可減小信號間的干擾。合理布局是控制EMI 的關(guān)鍵。布局的基本原則是：

　　* 模擬信號易受數(shù)字信號的干擾，模擬電路應(yīng)與數(shù)字電路隔開;

　　* 時鐘線是主要的干擾和輻射源，要遠(yuǎn)離敏感電路，并使時鐘走線最短;

　　* 大電流、大功耗電路盡量避免布置在板中心區(qū)域，同時應(yīng)考慮散熱和輻射的影響;

　　* 連接器盡量安排在板的一邊，并遠(yuǎn)離高頻電路;

　　* 輸入/輸出電路靠近相應(yīng)連接器，去耦電容靠近相應(yīng)電源管腳;

　　* 充分考慮布局對電源分割的可行性，多電源器件要跨在電源分割區(qū)域邊界布放，以有效降低平面分割對EMI 的影響;

　　* 回流平面(路徑)不分割。

　　2.5 布線

　　* 阻抗控制：高速信號線會呈現(xiàn)傳輸線的特性，需要進行阻抗控制，以避免信號的反射、過沖和振鈴，降低EMI 輻射。

　　* 將信號進行分類，按照不同信號(模擬信號、時鐘信號、I/O 信號、總線、電源等)的EMI 輻射強度及敏感程度，使干擾源與敏感系統(tǒng)盡可能分離，減小耦合。

　　* 嚴(yán)格控制時鐘信號(特別是高速時鐘信號)的走線長度、過孔數(shù)、跨分割區(qū)、端接、布線層、回流路徑等。

　　* 信號環(huán)路，即信號流出至信號流入形成的回路，是PCB 設(shè)計中EMI 控制的關(guān)鍵，在布線時必須加以控制。要了解每一關(guān)鍵信號的流向，對于關(guān)鍵信號要靠近回流路徑布線，確保其環(huán)路面積最小。

　　對低頻信號，要使電流流經(jīng)電阻最小的路徑;對高頻信號，要使高頻電流流經(jīng)電感最小的路徑，而非電阻最小的路徑(見圖1)。對于差模輻射，EMI 輻射強度(E)正比于電流、電流環(huán)路的面積以及頻率的平方。(其中I 是電流、A 是環(huán)路面積、f 是頻率、r 是到環(huán)路中心的距離，k 為常數(shù)。)

　　因此當(dāng)最小電感回流路徑恰好在信號導(dǎo)線下面時，可以減小電流環(huán)路面積，從而減少EMI輻射能量。

　　* 關(guān)鍵信號不得跨越分割區(qū)域。

　　* 高速差分信號走線盡可能采用緊耦合方式。

　　* 確保帶狀線、微帶線及其參考平面符合要求。

　　* 去耦電容的引出線應(yīng)短而寬。

　　* 所有信號走線應(yīng)盡量遠(yuǎn)離板邊緣。

　　* 對于多點連接網(wǎng)絡(luò)，選擇合適的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，以減小信號反射，降低EMI 輻射。

　　2.6 電源平面的分割處理

　　* 電源層的分割