為解決直流逆變交流的問題,有效地利用能源,讓電源輸出最大功率,設(shè)計了高性能的基于IR2101最大功率跟蹤逆變器,并以SPMC75F2413A單片機作為主控制器。高電壓、高速功率的MOSFET或IGBT驅(qū)動器IR2101采用高度集成的電平轉(zhuǎn)換技術(shù),同時上管采用外部自舉電容上電,能夠穩(wěn)定高效地驅(qū)動MOS管。該逆變器可以實現(xiàn)DC/AC的轉(zhuǎn)換,最大功率點的跟蹤等功能。實際測試結(jié)果表明,該逆變器系統(tǒng)具有跟蹤能力強,穩(wěn)定性高,反應(yīng)靈敏等特點,該逆變器不僅可應(yīng)用于普通的電源逆變系統(tǒng),而且可應(yīng)用于光伏并網(wǎng)發(fā)電的逆變系統(tǒng),具有廣泛的市場前景。
隨著工業(yè)和科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展,對電能質(zhì)量的要求將越來越高,包括市電電網(wǎng)在內(nèi)的原始電能的質(zhì)量可能滿足不了設(shè)備要求,必須經(jīng)過電力電子裝置變換后才能使用,而DC/AC逆變技術(shù)在這種變換中將起到重要的作用。根據(jù)市場趨勢,逆變器的選型安裝越來越傾向于小型化、智能化、模塊化等方向發(fā)展,其控制電路主要采用數(shù)字控制,系統(tǒng)的安全性,可靠性以及擴展性,同時將各個完善的保護電路考慮其中。因此,這里提出一種基于IR2101的最大功率跟蹤逆變器設(shè)計方案。
1 IR2101簡介
IR2101是雙通道、柵極驅(qū)動、高壓高速功率驅(qū)動器,該器件采用了高度集成的電平轉(zhuǎn)換技術(shù),大大簡化了邏輯電路對功率器件的控制要求,同時提高了驅(qū)動電路的可靠性。同時上管采用外部自舉電容上電,使驅(qū)動電源數(shù)目較其他IC驅(qū)動大大減少,在工程上減少了控制變壓器體積和電源數(shù)目,降低了產(chǎn)品成本,提高了系統(tǒng)可靠性。
IR2101采用HVIC和閂鎖抗干擾制造工藝,集成DIP、SOIC封裝。其主要特性包括:懸浮通道電源采用自舉電路;功率器件柵極驅(qū)動電壓范圍10~20 V;邏輯電源范圍5~20 V,而且邏輯電源地和功率地之間允許+5 V的偏移量;帶有下拉電阻的CNOS施密特輸入端,方便與LSTTL和CMOS電平匹配;獨立的低端和高端輸入通道。IR2101的內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖如圖1所示。
圖1中,HIN為邏輯輸入高;LIN為邏輯輸入低;VB為高端浮動供應(yīng);HO為高邊柵極驅(qū)動器輸出;Vs為高端浮動供應(yīng)返回;Voc為電源;LO為低邊柵極驅(qū)動器輸出;COM為公共端。
2 系統(tǒng)硬件設(shè)計
根據(jù)系統(tǒng)設(shè)計功能需求,其硬件組成框圖如圖2所示。該系統(tǒng)硬件設(shè)計是由SPMC75F2413A單片機主控制器模塊、外部供能系統(tǒng)(普通或光伏)、斬波電路模塊、IR2101逆變電路模塊和最大功率跟蹤外部電路模塊組成。通過最大功率跟蹤外部電路模塊檢測外部電壓,將檢測值返回到SPMC75F2413A主控制器中。斬波電路模塊通過主控制器對其控制,實現(xiàn)最大功率跟蹤。外部供能系統(tǒng)是為各個模塊提供電源。IR2101逆變電路模塊主要實現(xiàn)DC/AC的轉(zhuǎn)換,并由斬波電路為其提供最大功率點的電能。
圖2中的SPMC75F2413A單片機正常工作電壓為5 V。但是其他模塊所加的電壓不同,斬波電路模塊與IR2101逆變電路模塊所加的電壓為15 V。因為IR2101的正常工作電壓為10~20V。
2.1 IR2101逆變電路
IR2101逆變電路原理圖如圖3所示,H1、H2為IR2101集成驅(qū)動芯片,VQ1、VQ2、VQ3、VQ4為MOS管,Up、Un、Vp、Vn是SPMC75F2413A單片機中輸出的兩相四路PWM波。其中Up、Un是一相PWM波的上下臂,Vp、Vn為另一相PWM波的上下臂,由于單片機中輸出的PWM波不能驅(qū)動大功率MOS管,因此利用IR2101的電容自舉功能,通過二極管VD1、VD2(采用肖特基管所具有的快恢復(fù)功能,提升電容充電電壓,關(guān)斷過程減少消耗能量)對自舉電容C1、C2進行充電,以此提升驅(qū)動MOS管的信號電壓,使其具有擴大信號輸出的功能,擴大后的信號PWM波就能有序地控制VQ-1、VQ2、VQ3、VQ4的通斷,在逆變電路中同一相的上下臂的驅(qū)動信號是互補。
當Up輸入高時,HO輸出也為高,通過IR2101的電容自舉功能,就能控制VQ1導(dǎo)通,此時由于LO輸出為低,不能驅(qū)動VQ2,因此VQ2處于關(guān)斷狀態(tài),同時Vp也輸入一個高電平,即HO為高,使VQ4處于導(dǎo)通狀態(tài),而此時VQ3處于關(guān)斷狀態(tài),因此T1→VQ1→R5(負載)→VQ4→GND形成一個通路。反之,當Up、Vp為低電平,Un、Vn為高電平時,即電流的主要流向為T1→VQ3→R5(負載)→VQ2→GND,4個MOS管開關(guān)器件有序地交替通斷,進而在R5(負載)處形成了交流電。在實際應(yīng)用中為了防止上下臂同時導(dǎo)通而造成短路,在軟件設(shè)計的過程中,添加了死區(qū)時間,來保護整個電路。
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